氮化镓在3C碳化硅_111_表面二维异质外延纳米系统的反射高能电子衍射强度数据集

数据集概述

本数据集包含氮化镓（GaN）在3C碳化硅（3C-SiC）(111)表面形成的二维异质外延纳米系统的反射高能电子衍射（RHEED）强度数据，为相关模拟计算提供基础数据支持。

文件详解

• 文件名称: RHEED_DIFF_Z.tar.gz
• 文件格式: .gz（压缩包格式）
• 内容说明: 压缩包内包含与RHEED强度计算相关的模拟程序数据，具体字段及映射需解压后查看原始文件内容

适用场景

• 材料科学研究: 分析二维异质外延纳米系统的RHEED强度变化规律
• 半导体材料模拟: 支持GaN/3C-SiC异质结构散射晶体势模型的验证与优化
• 电子衍射技术应用: 探究电子束入射角对RHEED振荡强度的影响机制
• 纳米材料表征: 辅助研究外延层平行表面的扩散散射模型特性