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标签: 工艺节点

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  • GaN外延生长过程中不同阶段复折射率测定数据集1045

    2025年12月6日 30 33 0

    数据集概述 本数据集记录了1045℃下GaN层在MOVPE外延生长过程中不同阶段的复折射率（n+ik）。通过AIXTRON反应器内的反射光谱测量，结合模拟分析得到薄膜参数，包含生长关键节点及室温下的复折射率数据。 文件详解 该数据集包含文本数据文件和图片文件，具体说明如下： - 文本数据文件（共3个）： -...
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