数据集概述
本数据集记录了1045℃下GaN层在MOVPE外延生长过程中不同阶段的复折射率（n+ik）。通过AIXTRON反应器内的反射光谱测量，结合模拟分析得到薄膜参数，包含生长关键节点及室温下的复折射率数据。
文件详解
该数据集包含文本数据文件和图片文件，具体说明如下：
- 文本数据文件（共3个）：
- GaN_1045_C_Start_process.txt：TXT格式，记录成核层形成后（约110nm GaN层）的复折射率数据，字段含波长（nm）、折射率（n）、消光系数（k）
- GaN_1045_C_End_of_the_process.txt：TXT格式，记录外延结束时（约1400nm GaN层，1045℃）的复折射率数据，字段同上
- GaN_30_C_after_process.txt：TXT格式，记录室温（30℃）下的复折射率数据，测量方式与高温阶段一致
- 图片文件（共8个，PNG格式）：
- 包含实验过程相关图表（如Refractive index.png、Proces.png）、工艺节点示意图（początek_procesu.png、pod_koniec_procesu.png）、测试结构示意图（Struktura testowa.png）及SEM图像（Zdjęcie SEM 25 Stopni.png、Chropowatość.png）等
适用场景
- 半导体材料研究：分析GaN外延生长过程中复折射率随温度和厚度的变化规律
- 工艺优化：为MOVPE外延生长工艺参数调整提供光学特性数据支持
- 材料表征：结合SEM图像与复折射率数据，研究GaN薄膜结构与光学性能的关联
- 光学模拟：为GaN基器件的光学设计提供温度相关的复折射率参数
