β_Ga2O3_Si异质结构XRD_Raman实验分析数据

数据集概述

本数据集包含通过射频磁控溅射技术在硅衬底上沉积β-氧化镓薄膜的实验分析数据。数据通过X射线衍射和拉曼光谱分析确认了合成氧化镓薄膜的高结晶质量，并实验测定了β-Ga₂O₃/Si异质结构中的机械应力。数据集包含两个分析文件，分别对应不同的材料表征方法。

文件详解

• XRD分析数据
• 文件名称：XRD_Ga2O3_SI.opj
• 文件格式：OPJ
• 字段映射介绍：包含X射线衍射分析结果，用于表征β-Ga₂O₃薄膜的晶体结构和质量，以及异质结构中的机械应力测定数据。
• 拉曼光谱数据
• 文件名称：Raman_Ga2O3_Si.opju
• 文件格式：OPJU
• 字段映射介绍：包含拉曼光谱分析结果，用于验证氧化镓薄膜的结晶质量和材料特性。

适用场景

• 半导体材料研究: 分析β-氧化镓薄膜在硅衬底上的生长特性和结晶质量。
• 异质结构应力分析: 研究β-Ga₂O₃/Si异质界面处的机械应力分布和影响。
• 薄膜生长工艺优化: 为射频磁控溅射技术在非原生衬底上生长高质量氧化镓薄膜提供实验依据。
• 先进材料表征: 应用X射线衍射和拉曼光谱技术对半导体薄膜材料进行综合性能评估。