数据集概述
本数据集为期刊论文“Electronic mobility, doping, and defects in epitaxial BaZrS3 chalcogenide perovskite thin films”的配套表格数据，用于支撑论文正文及补充材料中的图表与研究发现，包含外延BaZrS3硫族钙钛矿薄膜的电子迁移率、掺杂及缺陷相关数据，共1个文件。
文件详解
- 文件名称：figure data.xlsx
- 文件格式：XLSX
- 字段映射介绍：未提供具体字段预览，推测包含支撑论文图表的结构化数据，可能涉及薄膜电子迁移率、掺杂浓度、缺陷类型及相关性能表征参数等内容。
数据来源
期刊论文“Electronic mobility, doping, and defects in epitaxial BaZrS3 chalcogenide perovskite thin films”
适用场景
- 钙钛矿薄膜材料特性研究: 分析BaZrS3硫族钙钛矿薄膜的电子迁移率、掺杂效应及缺陷对性能的影响。
- 材料电子特性表征: 支撑论文图表数据的验证与复现，辅助理解薄膜电子迁移率的调控机制。
- 硫族钙钛矿薄膜掺杂优化: 研究不同掺杂条件对薄膜电子迁移率及缺陷状态的作用规律。
- 钙钛矿基电子器件开发: 为基于BaZrS3硫族钙钛矿薄膜的电子器件设计提供材料性能数据参考。
