CMOS技术逻辑电路单事件多瞬态可能性量化数据集

数据集概述

该数据集聚焦于体硅CMOS技术逻辑电路中单事件多瞬态(Single Event Multiple Transients)发生可能性的量化研究,包含65nm平面晶体管(2D和3D)的器件模拟原始数据、仿真模板、CSV文件及自动化Python脚本,为相关电路可靠性分析提供支持。

文件详解

  • 压缩文件:
  • upload.tar.gz: GZIP压缩格式,包含数据集全部内容,内部可能包含:
  • 65nm平面晶体管(2D和3D)的器件模拟原始数据文件
  • 器件命令文件、仿真模板文件及CSV格式参数文件
  • 用于运行Sentaurus器件仿真的Python脚本(如Python_generate_sdevice_runsim.py、python_current.py等)
  • 用于数据后处理的Python脚本(如python_post-process_250p_limit.py、python_combine_2csv.py等)

数据来源

Dept of EE, IIT Bombay, Mumbai, India

适用场景

  • 电路可靠性研究: 分析CMOS逻辑电路中单事件多瞬态的发生机制与可能性
  • 半导体器件仿真: 基于Sentaurus工具开展65nm晶体管的单事件效应模拟
  • 自动化仿真流程开发: 参考Python脚本实现器件仿真与数据处理的自动化
  • 辐射效应分析: 探究辐射环境对CMOS电路性能的影响及防护策略
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数据与资源

附加信息

字段
作者 Maxj
版本 1
数据集大小 6.15 MiB
最后更新 2025年11月29日
创建于 2025年11月29日
声明 当前数据集部分源数据来源于公开互联网,如果有侵权,请24小时联系删除(400-600-6816)。