FeAs_InAs_Based铁砷单分子层铁磁性与巨磁电阻研究数据

数据集概述

本数据集围绕半导体结构中嵌入的闪锌矿型FeAs单分子层展开,研究其铁磁性与巨磁电阻特性。聚焦FeAs/InAs超晶格(SLs)的磁学行为,包括居里温度随InAs间隔厚度的变化规律、栅压可调的超大磁电阻,以及Fe原子无序位置对铁磁性的作用,为自旋电子学应用提供材料基础数据。

文件详解

  • 文件名称:Source data.xlsx
  • 文件格式:XLSX
  • 字段映射介绍:未提供具体字段信息,推测包含FeAs/InAs超晶格的结构参数、磁学测量数据(如居里温度、磁电阻值)、InAs间隔厚度与磁性能的关联数据、第一性原理计算的相关结果等核心研究数据。

适用场景

  • 自旋电子学材料研发:分析FeAs/InAs超晶格的铁磁性与巨磁电阻特性,评估其在自旋电子器件中的应用潜力。
  • 半导体嵌入式材料磁学研究:探究准二维FeAs基超晶格中量子基态的竞争机制,特别是铁磁性的形成条件。
  • 材料结构与性能关联分析:研究InAs间隔厚度对居里温度的影响规律(TC ~ tInAs⁻³),为材料结构优化提供依据。
  • 栅压调控磁电阻研究:基于栅压可调的超大磁电阻特性,开发磁电阻调控相关的电子器件。
  • 第一性原理计算验证:结合数据集结果,验证Fe原子无序位置对铁磁性的作用机制,完善理论模型。
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数据与资源

附加信息

字段
作者 Maxj
版本 1
数据集大小 2.05 MiB
最后更新 2026年1月27日
创建于 2026年1月27日
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