数据集概述
本数据集对应论文“Nucleation-Limited Kinetics of GaAs Nanostructures Grown by Selective Area Epitaxy: Implications for Shape Engineering in Optoelectronics Devices”，包含纳米线（NWs）和纳米膜（NMs）的原始SEM图像、AFM扫描数据，以及从上述图像中提取的形态学分析数据，用于研究GaAs纳米结构的形核动力学及形貌工程。
文件详解
- 原始图像与扫描数据（压缩包）
- 文件名称：遵循
SEM_NMs_[生长时间]s.zip、SEM_NWs_[生长时间]s.zip、AFM_NMs_[生长时间]s.zip、AFM_NWs_[编号]_[生长时间]s.zip模式（例如：SEM_NMs_180s.zip、AFM_NWs_6929_420s.zip）
- 文件格式：ZIP
- 字段映射介绍：压缩包内包含.raw格式的SEM图像和.xyz格式的AFM扫描数据，对应不同生长时间（60s、90s、120s、180s、420s等）的纳米线和纳米膜样品。
- 形态学分析数据
- 文件名称：
240812_NMs_data_Final.txt、240812_NWs_data_Final.txt
- 文件格式：TXT
- 字段映射介绍：包含HEIGHT [nm]（高度）、WIDTH [nm]（宽度）、VOLUME per UNIT AREA [NM^2]（单位面积体积）、Growth time [s]（生长时间），以及不同间距（p = 500 nm、1000 nm、2000 nm、4000 nm）下的纳米膜和纳米线形态参数。
- 说明文档
- 文件名称：
README.txt
- 文件格式：TXT
- 字段映射介绍：包含数据集对应的论文信息、作者、期刊、DOI及数据内容概述。
数据来源
论文“Nucleation-Limited Kinetics of GaAs Nanostructures Grown by Selective Area Epitaxy: Implications for Shape Engineering in Optoelectronics Devices”（ACS Applied Nano Materials 7,16 (2024): 19065–19074）
适用场景
- GaAs纳米结构形核动力学研究: 分析不同生长时间、间距下纳米线和纳米膜的形核过程及动力学机制。
- 光电子器件形貌工程: 基于形态学数据优化GaAs纳米结构的形貌参数，指导光电子器件的设计与制备。
- 材料表征方法验证: 对比SEM图像与AFM扫描数据，验证纳米结构表征技术的准确性。
- 生长工艺参数优化: 研究生长时间对GaAs纳米结构尺寸、体积等形态参数的影响，优化生长工艺。
