数据集概述
本数据集包含通过MBE方法在p-Si(111)衬底上生长的3D富铟铟镓氮（InGaN）纳米塔的结构与电化学特性数据，为其作为生物传感应用平台的研究提供支撑。
文件详解
该数据集包含6个文件，均位于“High-crystallinity In-Rich InGaN nanotowers grown/”目录下，具体说明如下：
- 栅格图像文件：共6个文件，包含3个.tif格式文件和3个.png格式文件
- .tif格式文件：M241003_01.tif、M241003_02.tif、InGaN_0081.tif，占比50%
- .png格式文件：M241003_01 (2)_color.png、abs-10-150deg-2tw-roc-0h58mins_M241003_Si111_InGaN002.png、5.0deg-w2t-42mins-2_M241003_Si111_InGaN002.png，占比50%
适用场景
- 半导体材料研究：分析富铟InGaN纳米塔的生长结构特性
- 生物传感技术开发：探究3D纳米塔结构在生物传感应用中的潜力
- 材料表征方法研究：验证MBE生长工艺对纳米材料性能的影响
- 电化学性能分析：基于纳米塔结构数据开展电化学特性相关研究
