数据集概述
本数据集包含HD_TMGTFET器件的Verilog-A模型文件及配套的电路仿真文件，涵盖器件特性参数表和仿真配置文件，为该类器件的电路设计与性能分析提供数据支持。
文件详解
- 文件名称: CGS-NTFET-Si.tbl、IdVg-NTFET-Si.tbl、CGD-NTFET-Si.tbl：格式为.tbl，共3个，推测为器件特性参数表文件，存储如电容-电压、电流-电压等关键特性数据。
- 文件名称: idvg.ic0：格式为.ic0，共1个，推测为电路仿真初始条件配置文件。
- 文件名称: idvg.cir：格式为.cir，共1个，推测为电路仿真网表文件，定义仿真电路结构与参数。
- 文件名称: idvg.tr0：格式为.tr0，共1个，推测为电路仿真输出结果文件，记录仿真运行后的数值结果。
- 文件名称: NTFET-Si.va：格式为.va，共1个，推测为HD_TMGTFET器件的Verilog-A模型定义文件，描述器件的电学行为模型。
适用场景
- 半导体器件建模研究：用于验证HD_TMGTFET器件Verilog-A模型的准确性与可靠性。
- 集成电路设计：支持基于HD_TMGTFET器件的电路仿真与性能评估。
- 电子工程教学：作为器件建模与电路仿真课程的实践案例数据。
- 半导体工艺优化：通过仿真数据反向分析器件结构参数对电学性能的影响。
