数据集概述
该数据集包含与论文《i-Si(111)上拓扑绝缘体Bi2Te3外延层的大面积MOVPE生长》相关的原始数据文件，涵盖原子力显微镜（AFM）、X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、拉曼光谱等实验表征结果，为研究Bi2Te3外延层的生长条件与材料特性关系提供数据支持。
文件详解
- 图片文件（.png格式，共6个）：
- Figure 3b.png、Figure 3a.png、Figure 2c.png、Figure 2d.png等：实验结果图表图片
- 文本文件（.txt格式，共4个）：
- Figure 1d_ AFM Imageheight line profile...txt：AFM图像高度线轮廓数据
- Figure 2b_XRD Pattern.txt：XRD衍射图谱数据
- Figure 2a_ Raman Bi2Te3-iSi111_633nm...txt：拉曼光谱数据
- FIGURE~4.TXT：未明确标注的实验数据文本
- 图像文件（.tif格式，共3个）：
- Figure 1(c) AFM Image.tif：AFM图像文件
- Figure 1(a) Plan-view SEM image.tif：平面SEM图像文件
- Figure 1(b) Cross Section SEM.tif：截面SEM图像文件
适用场景
- 材料科学研究：分析Bi2Te3外延层的生长工艺参数对材料结构的影响
- 拓扑绝缘体表征：研究Bi2Te3材料的表面形貌、晶体结构及光学特性
- 半导体材料应用：探索i-Si(111)基Bi2Te3外延层在电子器件中的应用潜力
- 实验方法验证：验证MOVPE技术生长大面积高质量拓扑绝缘体薄膜的可行性
