立方碳化硅压力诱导力学不稳定性结构与电子性质数据集

数据集概述

本数据集围绕立方碳化硅（3C-SiC）在静水压力与单轴压力（压缩与拉伸）下的结构及电子性质展开，包含分子动力学模拟结果，记录压力对直接电子带隙、内能、晶格参数等的影响及相关波动异常。

文件详解

• 文件名称：FIGURE_DATA_SiC2.zip
• 文件格式：ZIP压缩包
• 内容说明：压缩包内包含与研究论文相关的图表数据，涵盖立方碳化硅在不同压力条件下的结构参数（晶格参数、键长）、电子性质（直接电子带隙）及热力学数据（内能、有限温度波动）等模拟结果。

适用场景

• 材料物理研究：分析压力对立方碳化硅力学稳定性及电子带隙的调控机制
• 分子动力学模拟验证：对比不同压力条件下原子尺度模拟结果与理论预测的差异
• 高压材料应用开发：探究碳化硅在极端压力环境下的性能变化及潜在应用方向
• 量子效应研究：研究核量子效应对材料结构与电子性质的影响规律