数据集概述
本数据集记录了无氧化MoS2薄膜的新型合成方法及界面机制研究相关数据。研究采用无硫化溶液法与单步退火工艺，在Si3N4表面制备出均匀薄膜，包含薄膜结构表征、XPS分析等原始数据，共7个文件，支持先进电子器件用无氧化MoS2薄膜合成研究。
文件详解
- 压缩文件
- 文件名称：Raw data.zip
- 文件格式：ZIP
- 字段映射介绍：包含研究相关的原始数据压缩包，具体内容未提供预览
- 原始数据表文件（共6个.xlsx文件）
- 文件名称：Figure 2 raw data.xlsx、Figure 3_Raw data(Raman).xlsx、Figure 4 raw data.xlsx、Figure 5_raw data.xlsx、Figure 6 raw data.xlsx、Figure 7 raw data.xlsx
- 文件格式：XLSX
- 字段映射介绍：分别对应研究中各图的原始数据，可能包含薄膜粗糙度、厚度、晶体结构参数、XPS光谱数据等实验测量结果
数据来源
论文“Solution-Based Synthesis of Oxide-Free MoS2 Film: Exploring Interface Mechanisms”
适用场景
- 无氧化MoS2薄膜合成工艺优化: 分析溶液法与退火工艺参数对薄膜均匀性、厚度的影响
- 薄膜界面机制研究: 基于XPS光谱数据探究MoS2与Si3N4/SiO2基底的界面相互作用
- 薄膜结构表征分析: 利用晶体结构参数数据研究MoS2薄膜的晶格取向与结构特性
- 电子器件材料开发: 为先进电子器件用无氧化MoS2薄膜的制备提供数据支持
