数据集概述
本数据集包含论文《High Performance Predictable Quantum Efficient Detector Based on Induced-Junction Photodiodes Passivated with SiO2/SiNx》中的17个实验数据文件，涵盖PQED探测器的反射率模拟、有效寿命、光致发光寿命图像、电容电压测量、量子效率模拟及响应度均匀性等核心研究数据，为PQED探测器的性能分析提供支撑。
文件详解
- 模拟反射率数据（.dat格式）
- 文件名称：Figure 5.dat、Figure 6.dat、Figure 7.dat
- 字段映射：包含不同SiNx厚度、有无SiO2缓冲层条件下，PQED陷阱配置中p偏振反射率随波长或SiNx厚度的变化数据
- 光致发光寿命图像数据（.txt格式）
- 文件名称：Figure 9 - E2.txt、Figure 9 - E5.txt、Figure 9 - E6.txt、Figure 9 - E7.txt等8个文件
- 字段映射：记录不同钝化工艺样品的光致发光寿命数值矩阵，包含有效寿命数据及NaN值（缺失数据标识）
- 电学与光学性能数据（.xlsx格式）
- 文件名称：Figure 8.xlsx、Figure 10.xlsx、Figure 11.xlsx、Figure 12.xlsx、Figure 13.xlsx、Figure 16.xlsx
- 字段映射：涵盖有效寿命与过剩载流子密度关系、MIS电容电压曲线、注入依赖寿命拟合数据、量子效率模拟结果、响应度空间均匀性数据等
数据来源
Sensors期刊论文《High Performance Predictable Quantum Efficient Detector Based on Induced-Junction Photodiodes Passivated with SiO2/SiNx》
适用场景
- PQED探测器性能优化: 分析SiO2/SiNx钝化层对量子效率、反射率及寿命的影响，指导探测器结构设计
- 传感器材料钝化工艺研究: 对比不同SiO2/SiNx厚度组合的钝化效果，优化钝化工艺参数
- 光电探测器电学特性分析: 利用电容电压、有效寿命数据研究探测器的电学响应机制
- 量子效率模拟验证: 基于模拟数据校验PQED探测器量子效率的理论模型与实验一致性
- 光致发光寿命成像应用: 通过寿命图像数据评估钝化工艺的均匀性与稳定性
