数据集概述
本数据集围绕SiOx基忆阻器结构的渐变RESET过程展开，记录了其电导调制相关的实验数据与分析图表，包含5个文件，涵盖数据文件与可视化图形文件，可用于研究SiOx忆阻器的电导特性及渐变RESET行为。
文件详解
- 数据文件
- 文件名称：excelDataCombined.mat
- 文件格式：MAT
- 字段映射介绍：SiOx忆阻器渐变RESET过程的整合实验数据文件
- 文件名称：Ordinary I-V data (full cycle).xlsx
- 文件格式：XLSX
- 字段映射介绍：SiOx忆阻器完整周期的常规电流-电压（I-V）实验数据
- 可视化图形文件
- 文件名称：Linear I - V graph.fig
- 文件格式：FIG
- 字段映射介绍：SiOx忆阻器线性电流-电压（I-V）关系图
- 文件名称：Conduction vs V graph.fig
- 文件格式：FIG
- 字段映射介绍：SiOx忆阻器电导与电压（Conduction vs V）关系图
- 文件名称：Log I - V graph.fig
- 文件格式：FIG
- 字段映射介绍：SiOx忆阻器对数电流-电压（I-V）关系图
适用场景
- 忆阻器电导特性研究: 分析SiOx忆阻器在渐变RESET过程中的电导调制规律
- 电子器件性能测试: 基于I-V数据评估SiOx忆阻器的电学性能与稳定性
- 忆阻器模型构建: 利用实验数据建立SiOx忆阻器渐变RESET过程的数学模型
- 微电子器件研发: 为SiOx基忆阻器在存储或计算领域的应用提供实验支撑
