应变与非突变III_V族量子阱界面模拟数据集_能级计算与实验数据对比

数据集概述

本数据集包含III-V族量子阱界面模拟程序PLSIMUL（ADCN_v1_0）的相关数据，聚焦应变与非突变界面的量子阱能级计算与实验数据对比，支持单量子阱、多量子阱及超晶格的电子、轻重空穴能级与波函数模拟。

文件详解

• 文件名称：adcn_v1_0.gz
• 文件格式：GZ压缩包（.gz）
• 内容说明：包含PLSIMUL程序数据，支持计算应变In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)/In_(1-z)Ga_zAs_wP_(1-w)量子阱的电子、轻重空穴能级及波函数，可处理非突变界面、耦合阱结构，包含基态与激发态检测功能

数据来源

CPC Program Library（Queen's University Belfast）、Mendeley Data

适用场景

• III-V族半导体量子阱材料的能级结构研究
• 应变与非突变界面对量子阱电子态影响的分析
• 量子阱模拟程序的验证与实验数据对比研究
• 光电子器件（如激光器、探测器）的量子阱结构设计支撑