数据集概述
本数据集为原子层沉积（ALD）薄膜在500纳米高宽微通道中的模拟厚度剖面数据，对应PCCP 24（2022）期刊论文的图4内容。数据基于扩散反应模型生成，包含基线条件及单参数变量（如反应物分压、温度等）下的薄膜厚度剖面，以Excel和CSV格式存储，支持ALD沉积过程的参数影响分析。
文件详解
- Excel文件
- 文件名称：
DReaM-ALD_10.5281zenodo.6997243.xlsx
- 文件格式：XLSX
- 字段映射介绍：含11个工作表，包括metadata（基线条件参数，如粘附系数、温度、反应物分压等）、baseline thickness profile（基线条件下薄膜厚度与微通道内距离的对应数据）、Fig4a至Fig4i（分别对应反应物初始分压、脉冲时间等单参数变量下的厚度剖面数据）
- CSV文件
- 文件名称：含
DReaM-ALD_10.5281zenodo.6997243-Baseline.csv、DReaM-ALD_10.5281zenodo.6997243-Fig4a.csv至DReaM-ALD_10.5281zenodo.6997243-Fig4i.csv共10个文件
- 文件格式：CSV
- 字段映射介绍：每个文件对应Excel中同名工作表的结构化数据，包含Varied parameter（变量参数名）、Value（变量取值）及薄膜厚度与微通道距离的映射数据
数据来源
论文“Conformality of atomic layer deposition in microchannels: impact of process parameters on the simulated thickness profile”（Yim and Verkama et al., Phys. Chem. Chem. Phys. 24 (2022) 8645-8660）
适用场景
- ALD薄膜沉积工艺优化：分析反应物分压、温度等参数对微通道内ALD薄膜厚度均匀性的影响，指导工艺参数调整
- 微通道器件制备研究：为高宽比微通道内薄膜沉积的器件设计提供厚度分布的模拟参考
- 扩散反应模型验证：作为ALD沉积扩散反应模型的模拟数据，支持模型的校准与验证
- 材料科学教学案例：用于讲解ALD工艺原理、参数影响及薄膜厚度剖面分析的教学实践
