数据集概述
本数据集为n型区熔硅（Float-Zone Silicon）材料中辐射缺陷的研究提供支持，包含基于温度和光强依赖的光谱光致发光（Photoluminescence）实验的原始数据、图表及分析文件，覆盖不同温度条件下的电学参数与光学特性数据，为半导体材料缺陷机制研究提供多维度数据基础。
文件详解
- 数据文件：
- CSV格式（87个）：如Bright_80K_P5.csv、Dark_260K.csv、Alpha_112K.csv等，存储不同温度（如80K、170K、260K、300K）下的实验数据，字段含距离、电子密度、空穴密度等参数
- TXT格式（8个）：如Ai_Data2_300K.txt、Alpha_Temp.txt等，包含距离、电子密度、空穴密度等结构化数据
- XLSX格式（1个）：Ai_Data_300K.xlsx，存储300K温度下的实验数据
- 图表文件：
- PDF格式（17个）：如Ai.pdf、Band_Edefect.pdf、IDSPL_Blueshift.pdf等，展示缺陷能级、光谱蓝移等分析结果
- PNG格式（27个）：如Ai.png、Capture7.PNG、IDSPL_Simple.png等，呈现实验图像与结果可视化内容
- SVG格式（6个）：如Band.svg、uPL_Setup.svg等，为矢量图格式的实验装置示意图与分析图表
- 代码文件：
- PY格式（15个）：如Ai.py、Analysis_Injection.py等，用于数据处理与分析的Python脚本
- 其他文件：
- PC1D.prm（1个）：半导体器件模拟软件PC1D的参数文件
适用场景
- 半导体材料研究：分析n型区熔硅中辐射缺陷的形成机制与电学特性
- 光致发光技术应用：探究温度与光强对硅材料光谱光致发光特性的影响规律
- 电子器件开发：为高效硅基光电器件的缺陷调控提供数据支撑
- 材料表征方法优化：验证温度与光强依赖的光谱光致发光技术在缺陷分析中的有效性
