ZrN_Nucleation_Layer_Based_GaN纳米线背面欧姆接触实验数据_Repository

数据集概述

本数据集为ZrN成核层提供MBE生长GaN纳米线背面欧姆接触相关实验数据，包含扫描电镜（SEM）图像与电流-电压（IV）特性数据，对应研究中的图4至图7内容，用于支撑半导体纳米线电学接触性能的研究。

文件详解

• 文件名称：SEM_IV_characteristics (Figures 4 - 7).xlsx
• 文件格式：XLSX
• 字段映射介绍：包含扫描电镜（SEM）图像相关数据与电流-电压（IV）特性数据，对应研究中的图4至图7内容，具体字段需参考文件内数据结构。

数据来源

ZrN nucleation layer provides backside ohmic contact to MBE-grown GaN nanowires - Data Repository

适用场景

• 半导体材料电学性能研究: 分析ZrN成核层对GaN纳米线背面欧姆接触特性的影响。
• 纳米器件接触优化: 基于SEM与IV数据优化GaN纳米线器件的背面接触结构设计。
• 材料表征方法验证: 验证ZrN成核层在MBE生长GaN纳米线中的应用效果与表征手段。
• 半导体纳米线器件开发: 为GaN纳米线相关电子器件的研发提供实验数据支撑。